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三星投资2.2亿美元 在美增设半导体生产线

2024-05-30 15:21 来源: 作者/编辑: 浏览次数:7895 手机访问 使用手机“扫一扫”以下二维码,即可分享本文到“朋友圈”中。

据海外媒体最新报道,韩国三星电子近日宣布,该公司计划投资2.2亿美元,在其位于美国德克萨斯州奥斯汀市的现有工厂增设一条半导体生产线,专门生产面向北美市场的存储器芯片。

目前,三星是全球最主要的dram芯片和nand闪存芯片生产商之一,其中,dram芯片用于个人电脑,nand闪存芯片主要用于记忆卡和消费电子产品。

三星半导体业务副总裁kim il ung在日前举行的电话会议上表示,新的生产线预计将于明年第三季度建成投产,但该公司目前尚未决定率先生产何种芯片,为此三星计划今年年底对市场需求进行调查,以便做出最终决定。

三星当天还表示,今年第一季度其存储器芯片业务销售额下滑了16%。尽管pc生产商超出预期较快地采用ddr2内存,nand闪存芯片价格持续下滑导致该公司芯片部门业绩未能达到预期目标。

由于计算机生产商纷纷在其产品中配置更大容量的内存,三星预计今年dram芯片市场需求将在2005年基础上增长45%。今年第一季度,计算机平均内存容量从去年同期的552mb,提高到705mb。

三星同时表示,大容量mp3音乐播放器的推出,以及nand闪存市场价格的下滑,都将有助于市场需求的增长,从而推动整个nand闪存市场的发展。与此同时,消费者将为数码相机购买更大容量的闪存卡,也将有助于市场需求的增长。

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