电磁灶是一种利用电磁感应原理将电能转换为热能的厨房电器。在电磁灶内部，由整流电路将50/60hz的交流电压变成直流电压，再经过控制电路将直流电压转换成频率为20-40khz的高频电压，高速变化的电流流过线圈会产生高速变化的磁场，当磁场内的磁力线通过金属器皿(导磁又导电材料)底部金属体内产生无数的小涡流，使器皿本身自行高速发热，然后再加热器皿内的东西。

特殊零件简介

2.1.1lm339集成电路

lm339内置四个翻转电压为6mv的电压比较器,当电压比较器输入端电压正向时(+输入端电压高于-入输端电压),置于lm339内部控制输出端的三极管截止,此时输出端相当于开路当电压比较器输入端电压反向时(-输入端电压高于+输入端电压),置于lm339内部控制输出端的三极管导通,将比较器外部接入输出端的电压拉低,此时输出端为0v。

2.1.2igbt

绝缘栅双极晶体管(iusulatedgateipolartraistor)简称igbt,是一种集bjt的大电流密度和mosfet等电压激励场控型器件优点于一体的高压、高速大功率器件。

目前有用不同材料及工艺制作的igbt,但它们均可被看作是一个mosfet输入跟随一个双极型晶体管放大的复合结构。

igbt有三个电极(见上图),分别称为栅极g(也叫控制极或门极)、集电极c(亦称漏极)及发射极e(也称源极)。

从igbt的下述特点中可看出,它克服了功率mosfet的一个致命缺陷,就是于高压大电流工作时,导通电阻大,器件发热严重,输出效率下降。

igbt的特点:

1.电流密度大,是mosfet的数十倍。

2.输入阻抗高,栅驱动功率极小,驱动电路简单。

3.低导通电阻。在给定芯片尺寸和bvceo下,其导通电阻rce(on)不大于mosfet的rds(on)的10%。

4.击穿电压高,安全工作区大,在瞬态功率较高时不会受损坏。

5.开关速度快,关断时间短,耐压1kv~1.8kv的约1.2us、600v级的约0.2us,约为gtr的10%,接近于功率mosfet,开关频率直达100khz,开关损耗仅为gtr的30%。

igbt将场控型器件的优点与gtr的大电流低导通电阻特性集于一体,是极佳的高速高压半导体功率器件。

目前458系列因应不同机种采了不同规格的igbt,它们的参数如下:

(1)gw25n120----西门子公司出品,耐压1200v,电流容量25℃时46a,100℃时25a,内部不带阻尼二极管,所以应用时须配套6a/1200v以上的快速恢复二极管(d11)使用,该igbt配套6a/1200v以上的快速恢复二极管(d11)后可代用skw25n120。

(2)kw25n120----西门子公司出品,耐压1200v,电流容量25℃时46a,100℃时25a,内部带阻尼二极管,该igbt可代用sgw25n120,代用时将原配套sgw25n120的d11快速恢复二极管拆除不装。

(3)gt40q321----东芝公司出品,耐压1200v,电流容量25℃时42a,100℃时23a,内部带阻尼二极管,该igbt可代用sgw25n120、skw25n120,代用sgw25n120时请将原配套该igbt的d11快速恢复二极管拆除不装。

(4)gt40t101----东芝公司出品,耐压1500v,电流容量25℃时80a,100℃时40a,内部不带阻尼二极管,所以应用时须配套15a/1500v以上的快速恢复二极管(d11)使用,该igbt配套6a/1200v以上的快速恢复二极管(d11)后可代用sgw25n120、skw25n120、gt40q321,配套15a/1500v以上的快速恢复二极管(d11)后可代用gt40t301。

(5)gt40t301----东芝公司出品,耐压1500v,电流容量25℃时80a,100℃时40a,内部带阻尼二极管,该igbt可代用sgw25n120、skw25n120、gt40q321、gt40t101,代用sgw25n120和gt40t101时请将原配套该igbt的d11快速恢复二极管拆除不装。

(6)gt60m303----东芝公司出品,耐压900v,电流容量25℃时120a,100℃时60a,内部带阻尼二极管。