推动高能效创新的安森美半导体(on semiconductor，美国纳斯达克上市代号： on)，采用提升ccd图像传感器的近红外灵敏度的技术，增强在严格要求的工业应用中的成像性能。

800万像素(mp) kai -08052图像传感器是安森美半导体ccd产品阵容中首款采用该新技术的器件，提供的近红外(nir)波长灵敏度达公司标准的interline transfer ccd 像素设计的两倍。此增强的灵敏度对以下应用非常关键：如科学和医疗成像等应用中在nir波长中取样发光或发出荧光;或在机器视觉和智能交通系统(its)中，nir照明通常用于更佳地检查目标或隔离车辆的车牌。

kai-08052采用的新的ccd像素设计延伸硅片中的电子捕获区，以更佳地捕获长波长光子产生的电子。视乎研究的特定波长，这种更深的像素井可以提高检测的nir波长达一倍。由于井结构也使光电二极管彼此隔离，从而提高了nir灵敏度而不减少图像清晰度(调制传递函数或mtf)。

安森美半导体图像传感器部工业和安防分部副总裁兼总经理herb erhardt说：“摄像机制造商和终端客户不断证实这些市场需要基于ccd和cmos技术的产品，我们持续开发和推进这两种技术很重要。kai-08052比我们标准的像素设计显著提升nir灵敏度，我们将采用这种技术推出更多的产品。”

kai-08052采用符合限制使用有害物质指令(rohs)的cpga-67封装，提供黑白、拜耳色和sparse color配置，与现有的kai-08051图像传感器及全系列的5.5 µm和7.4 µm ccd图像传感器完全引脚兼容，使摄像机制造商能快速采用新的器件。

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