图像可以将光学图像转换为电子信息，在电子光学设备中应用广泛。未来的可穿戴智能设备要求图像传感器具有柔性可以弯曲折叠，而目前在数码相机中广泛应用的集成图像传感器，由于不具有柔性难以满足未来需求。目前研究认为，柔性低维材料是硅基底的理想替代者。

合肥工业大学与韩国成均馆大学近期组成联合科研团队，提出了一种新的界面限域外延生长方法，成功制备出高质量大晶粒非层状结构硒化镍薄膜。他们通过硒化镍微米带阵列的图形化生长，构筑高性能且均匀性好的光探测器阵列，为柔性图像传感器的实现奠定了基础。

以上是网络信息转载，信息真实性自行斟酌。