10月17日，国家重点研发计划“战略性先进电子材料”重点专项“新型高密度存储材料与器件”项目启动会在中国科学院微电子研究所召开。

会上，微电子所所长叶甜春和中科院院士、微电子重点实验室主任刘明先后致辞。叶甜春对当前存储器领域的形势和现状进行了总结和展望，表示要集中力量围绕关键技术开展攻关，实现关键技术的不断突破。项目负责人、微电子所研究员刘琦汇报了项目总体情况和实施方案。与会专家对项目的布局给予积极评价，并对项目的具体实施提出了宝贵意见。叶甜春代表微电子所向项目咨询专家颁发了聘书。

“新型高密度存储材料与器件”面向大数据时代对海量数据存储和处理的需求，研究相变、阻变、铁电等新型存储材料和器件的设计与制备关键技术，发展用于高密度存储阵列的选通器件及三维集成技术，研制兼具信息存储、逻辑、运算、编解码等多功能的新型原型器件以及柔性阻变存储器原型器件，将为我国发展具有自主知识产权的新型高性能存储材料与器件奠定技术基础。

“新型高密度存储材料与器件”是国家重点研发计划“战略性先进电子材料”重点专项，该项目启动将研究相变、阻变、铁电等新型存储材料和器件的设计与制备关键技术，为我国研发自主知识产权的新型高性能存储材料与器件奠定了技术基础。

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