今年第三季度，nand闪存依然处于供给吃紧的状态，主要是颗粒厂面向3d工艺的转型步伐较慢，低于预期。
而需求方面，手机、服务器、数据中心依然表现强势。
不过，来自集邦咨询半导体研究中心（dramexchange）的最新报告称，在明年，nand闪存的市场将达到一种稳态局面。其中，供给侧的产能将提升42.9％，而需求侧，增长预计在37.7％。
目前在3d闪存方面，三星的转产最为顺利，已经在q3开始量产64层堆叠，而其它厂商的64层甚至72层则仍需要2018年落地。
据悉，在明年的所有3d闪存中，3d闪存出货的占比预计将最高可达70％，其中三星预计60％——70％、sk海力士预计40％——50％、东芝预计50％、美光／intel合计预计在40％——50％。
来源：快科技
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