罗姆(rohm)半导体集团是全球最知名的半导体厂商之一。rohm igbt产品利用rohm特有的沟槽栅、薄晶圆技术实现了低vce(sat)、低开关损耗等特性。目前有第二代和第三代产品，第三代igbt整体损耗更低，效率更高，元器件温度更低。涵盖650v/1200v、4a-50a多个规格，主流封装，有车规级(aec-q101)产品。大量应用于车载压缩机，电机市场，电源市场，空调冰箱等。

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主要产品及应用

第三代650v耐压igbt：兼备低传导损耗和高速开关特性。

这些产品非常适用于ups(不间断电源)、焊接机及功率控制板工业设备、空调、ih(感应加热)等消费电子产品的通用变频器及转换器的功率转换。

罗姆半导体穿通型igbt技术演化

650v igbt rgtv和rgw产品系列

· 用于快速开关的rgtv系列，其短路耐受时间(scwt)为2 μs;

· 用于更快速开关的rgw系列，主要针对scwt不做要求的应用

rgtv和rgw产品系列特点：

1.实现业界顶级的低传导损耗和高速开关性能

在本新系列产品中，利用薄晶圆技术使晶圆厚度比以往产品再薄15%，另外采用rohm独创的单元微细化结构，成功实现业界顶级的低导通损耗(vce(sat)=1.5v)和高速开关特性(tf=30～40ns)。

2.实现软开关，减轻设备的设计负担

通过元器件内部优化，实现了on/off顺畅切换的软开关。由此，开关时产生的电压过冲与普通产品相比减少了50%，可减少用来抑制过冲的外置栅极电阻和缓冲电路等部件数量。使用igbt时，应用端不再需要以往需要的过冲对策，有利于减轻设计负担。

完整产品系列如下表所示，罗姆igbt型号的前部分为tc=100 °c时额定电流的两倍。对于当前所有类别中有两种芯片配置方式，即igbt芯片单独封装或与快速恢复二极管(frd)共同封装。在rgtv系列中，frd与igbt具有相同的额定电流。rgw系列中的frd的额定电流比igbt的低，其frd的额定电流如表中的括号内所示。这些器件的额定电流在tc=100 °c的情况下从30 a到80 a，并采用to-247n(非隔离型)和to-3pfm(隔离型)等封装中，具体如下表所示：

1200v耐压igbt：汽车级(aec-q101)、短路耐受时间为10μsec(tj=25℃)

“rgs系列”产品

rgs系列产品实现了业界领先的低传导损耗(vce(sat.))，达到业界领先水平，非常适用于电动压缩机的逆变器电路和ptc加热器的开关电路，非常有助于应用的小型化与高效化。

此外，1200v耐压产品的短路耐受时间为10μsec(tj=25℃)，即使在要求高可靠性的车载领域也可放心使用。

rgs系列产品特点：

1. 业界领先的低传导损耗

通过优化器件结构，在1200v耐压级别将传导损耗(vce(sat.))降至1.70v(typ tj=25℃)，与其他公司同等产品(1200v、40a产品)相比，传导损耗改善了约10～15%。

尤其是在电动压缩机和ptc加热器中，由于驱动频率较低，故对传导损耗的重视程度高于开关特性，rgs系列的出色表现已经获得客户的高度好评。

2. 产品阵容丰富，满足客户多样化需求

此次推出的四款1200v耐压产品，加上量产中的650v耐压产品，共11种机型。产品阵容中包括igbt单品和续流二极管)内置型两种类型的产品，客户可根据需求自由选用。

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