日前，vishay intertechnology, inc.（nyse 股市代号：vsh）宣布，推出新款30 v n沟道mosfet半桥功率级模块---sizf300dt，将高边trenchfet®和低边skyfet® mosfet与集成式肖特基二极管组合在一个小型powerpair® 3.3 mm x 3.3 mm封装中。vishay siliconix sizf300dt提高了功率密度和效率，同时有助于减少元器件数量，简化设计，适用于计算和通信应用功率转换。

日前发布器件中的两个mosfet采用半桥配置内部连接。 通道1 mosfet在10 v和4.5 v条件下，最大导通电阻分别为4.5 m 和7.0 m 。通道2 mosfet在10 v和4.5 v条件下，导通电阻分别为1.84 m 和2.57 m 。两个mosfet典型栅极电荷分别为6.9 nc和19.4 nc。

sizf300dt比6mm x 5mm封装类似导通电阻的双片器件节省65 %的空间，是市场上最紧凑的集成产品之一。器件为设计人员提供节省空间的解决方案，适用于图形加速卡、计算机、服务器以及通信和rf网络设备的负载点（pol）转换、电源以及同步降压和dc / dc转换器。

双mosfet采用独特的引脚配置结构，电流相位输出电流比相同占位面积的同类产品高11 %，此外，输出电流超过20 a时具有更高的效率。器件引脚配置和大pgnd 焊盘还可以增强散热，优化电路，简化pcb布局。

sizf300dt 经过100 % rg和uis测试，符合rohs要求标准，无卤素。

新款双mosfet模块现可提供样品并已实现量产，大宗订货供货周期为12周。

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