东芝电子元件及存储装置株式会社（"东芝"）今日宣布，其"u-mos x-h系列"产品线新增采用其最新一代工艺制造而成的80v n沟道功率mosfet--- tph2r408qm和tpn19008qm。新款mosfet适用于数据中心和通信基站所用的工业设备的开关电源。
u-mos x-h系列产品示意图
新增产品包括采用表面贴装sop advance封装的"tph2r408qm"以及采用tson advance封装的"tpn19008qm"。产品于今日开始出货。
由于采用了其最新一代的工艺制造技术，与当前u-mos ⅷ-h系列中的80v产品相比，新款80v u-mos x-h产品的漏源导通电阻降低了大约40%。通过优化器件结构，漏源导通电阻与栅极电荷特性[1]之间的平衡也得到了进一步的改善[2]。因此，新产品可提供业界最低[3]功耗。
东芝正在扩展其降耗型产品线，从而为降低设备功耗提供帮助。
应用：
●开关电源（高效ac-dc转换器、dc-dc转换器等）
●电机控制设备（电机驱动等）
特性：
●业界最低[3]功耗（通过改善导通电阻与栅极电荷特性[2]之间的平衡）
●业界最低[3]导通电阻：
rds(on)=2.43mω（最大值）＠vgs=10v（tph2r40qm）
rds(on)=19mω（最大值）＠vgs=10v（tpn19008qm）
●高额定通道温度：tch=175℃
主要规格：
（除非另有说明，@ta＝25℃）
器件型号
绝对
最大
额定值
漏源电压vdss（v）
80
80
漏极电流（dc）id（a）
@tc=25℃
120
34
通道温度tch（℃）
175
175
电气
特性
漏源导通电阻
rds(on)最大值（mω）
@vgs=10v
2.43
19
@vgs=6v
3.5
28
总栅极电荷（栅源+栅漏）
qg典型值（nc）
87
16
栅极开关电荷qsw典型值（nc）
28
5.5
输出电荷qoss典型值（nc）
90
16.5
输入电容ciss典型值（pf）
5870
1020
封装
名称
sop advance
tson advance
尺寸典型值（mm）
5.0×6.0
3.3×3.3
库存查询与购买
注释：
[1] 总栅极电荷（栅源+栅漏）、栅极开关电荷、输出电荷。
[2] 与tph4r008nh（u-mos ⅷ-h系列）进行比较，tph2r408qm的漏源导通电阻x总栅极电荷改善约为15%、漏源导通电阻 x 栅极开关电荷改善约为10%、漏源导通电阻x输出电荷改善约为31%。
[3] 截至2019年3月30日，东芝调研。
以上是网络信息转载，信息真实性自行斟酌。
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