日前，vishay intertechnology, inc.（nyse股市代号：vsh）推出新型-30 v p沟道trenchfet?第四代功率mosfet---siss05dn，器件采用热增强型3.3 mm x 3.3 mm powerpak? 1212-8s封装，10 v条件下导通电阻达到业内最低的3.5 m 。于此同时，导通电阻与栅极电荷乘积，即mosfet在开关应用的重要优值系数（fom）为172 m *nc，达到同类产品最佳水平。节省空间的vishay siliconix siss05dn专门用来提高功率密度，占位面积比采用6mm x 5mm封装的相似导通电阻器件减小65 %。

日前发布的mosfet导通电阻比上一代解决方案低26 %，比市场上排名第二的产品低35 %，而fom比紧随其后的竞争器件低15 %。这些业内最佳值降低了导通和开关损耗，从而节省能源并延长便携式电子设备的电池使用寿命，同时最大限度降低整个电源路径的压降，以防误触发。器件紧凑的外形便于安装在pcb面积有限的设计中。

行业标准面积尺寸的siss05dn可直接替代升级5 v至20 v输入电源应用中的现有器件。该mosfet适用于适配器和负载开关、反向极性保护、电池供电设备电机驱动控制、电池充电器、消费类电子、计算机、电信设备等。

器件经过100 % rg和uis测试，符合rohs标准，无卤素。

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