目前，包括计算机、消费电子产品等，应用的都是铁氧体存储技术，利用磁性的铁氧体

微粒在不同电场下指向不同，来表示二进制中的“０”和“１”。它要在加电状态下才能实现数据读写，而且存储信息的密度取决于铁氧体微粒的大小。

“摩尔定律”曾预言，内存芯片的存储密度和晶体管芯片的集成度类似，将大致每１８个月翻一番。这样用于存储的铁氧体微粒越来越小，到纳米级后将表现出不同的特性，因此也会遇到“瓶颈”问题。

而相变存储技术利用材料的相变特性，可望突破这一“瓶颈”。某些材料的结构在温度等外界条件突变时会发生变化，使材料在晶体态和类似玻璃的无定形态之间转换，这被称为相变。

材料在不同状态时反光率不同，如果晶体态代表“１”、无定形态代表“０”，用激光照射材料就可以读取它相变时存入的信息。ｉｂｍ和英飞凌认为，相变存储技术与铁氧体存储技术相比，存储密度更大、速度更快、耗能也更少，而且具有不依赖外界电源的优势，断电时也可以实现信息读写。

三家公司计划，投入２０至２５名研究人员从事相变存储技术的长期研究，研究工作将主要在ｉｂｍ设于纽约和加利福尼亚圣何塞的实验室进行。

另据报道，英特尔公司正在长期开发另一类相变存储材料——奥弗辛斯基效应存储材料，飞利浦公司也有相变存储材料研发计划。业内人士预测，２０年内相变材料等新一代存储材料将取代铁氧体内存。（完）

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