日前，vishay intertechnology, inc.(nyse 股市代号：vsh)宣布，推出17款新型第三代650 v 碳化硅(sic)肖特基二极管。vishay semiconductors器件采用混合pin schottky(mps)结构设计，具有高浪涌电流保护能力，正向压降、电容电荷和反向漏电流低，有助于提升开关电源设计能效和可靠性。

日前发布的新一代sic二极管包括4a至40a器件，采用to-22oac 2l和to-247ad 3l 插件封装和d2pak 2l(to-263ab 2l)表面贴装封装。由于采用mps结构，器件正向压降比上一代解决方案低0.3v，正向压降与电容电荷乘积，即电源能效重要优值系数(fom)，相比上一代解决方案降低17%。

与接近的竞品解决方案相比，二极管室温下典型反向漏电流低30%，高温下低70%。因此降低了导通损耗，确保系统轻载和空载期间的高能效。与超快恢复二极管不同，第三代器件几乎没有恢复拖尾，从而能够进一步提升效率。

与击穿电压相当的硅二极管相比，sic二极管热导率高，反向电流低，反向恢复时间短。二极管反向恢复时间几乎不受温度变化的影响，可在+175 °c高温下工作，不会因开关损耗造成能效变化。

器件典型应用包括发电和勘探应用领域fbps和llc转换器中的ac/dc功率因数校正(pfc)和 dc/dc超高频输出整流。器件具有高可靠性，符合rohs标准，无卤素，通过2000小时高温反偏(htrb)测试和2000次热循环温度循环测试，测试时间和循环次数是aec-q101规定的两倍。

新型sic二极管现可提供样品并已实现量产，供货周期为八周。

（vishay）

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