高可靠性、高性能氮化镓(gan)电源转换产品的先驱和全球供应商transphorm, inc. (nasdaq: tgan)今天宣布推出七款参考设计，旨在加快基于氮化镓的usb-c pd电源适配器的研发。该参考设计组合包括广泛的开放式框架设计选项，覆盖多种拓扑结构、输出和功率(45w至140w)。

supergan®技术的差异化优势

电源适配器参考设计采用supergan第iv代650v fet，具有设计简单、可靠性高和性能强劲的优势，这些特点已经成为transphorm氮化镓器件的代名词。在最近的对比分析中，与175毫欧的e-mode氮化镓器件 相比，transphorm的240毫欧supergan fet在温度超过75℃时显示出更低的导通电阻上升幅度，并在50%和100%(全)功率下拥有更高的性能。

电源适配器参考设计

transphorm的参考设计组合包括五款开放框架的usb-c pd参考设计，频率范围从140到300 khz。其中包括transphorm与silanna semiconductor合作开发的一款65w有源钳位反激模式(acf)参考设计，运行频率为140khz，峰值效率为94.5%。

● (1x) 45w适配器参考设计采用准谐振反激模式(qrf)拓扑结构，可提供24 w/in3的功率密 度

● (3x) 65w适配器参考设计采用acf或qrf拓扑结构，可提供30 w/in3的功率密度

● (1x) 100w适配器参考设计采用功率因数校正(pfc)+qrf拓扑结构，可提供18 w/in3的 功率密度

transphorm的参考设计组合还包括两款开放框架的usb-c pd/pps参考设计，频率范围110到140 khz。transphorm与diodes inc.合作开发了这两款解决方案，利用该公司的acf控制器实现了超过93.5%的峰值效率。

● (1x) 65w适配器参考设计采用acf拓扑结构，可提供29 w/in3的功率密度

● (1x) 140w适配器参考设计采用pfc+acf拓扑结构，可提供20 w/in3的功率密度

transphorm现场应用和技术销售副总裁tushar dhayagude表示：“transphorm独具优势，可提供唯一能适用于广泛应用的、涵盖众多功率水平的氮化镓fet组合。我们的电源适配器参考设计凸显出我们的低 功率能力。我们提供与控制器无关的pqfn和to-220器件，可以极大地简化设计。这些优势以及其他特点有助于客户快速、轻松地将 具有突破性功率效率水平的氮化镓解决方案推向市场。这正是transphorm氮化镓器件的价值所在。”

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