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vishay推出smc(do-214ab)封装transzorb® tvs,高浪涌能力达3 kw,漏电流低至1 μa

2024-05-22 11:23 来源: 作者/编辑: 浏览次数:3283 手机访问 使用手机“扫一扫”以下二维码,即可分享本文到“朋友圈”中。

宾夕法尼亚、malvern — 2022年6月1日 — 日前,vishay intertechnology, inc.(nyse 股市代号:vsh)宣布,推出采用smc(do-214ab)封装的新系列表面贴装transzorb® 双向瞬态电压抑制器(tvs)---smc3kxxxcahm3_a,可用于汽车、工业和通信应用。smc3kxxxcahm3_a系列器件 10/1000 μs 条件下浪涌性能高达3 kw,符合iso 16750-2 pulse b规范,22 v至120 v漏电流低至1 μa,工作温度达+175 °c。

日前发布的vishay general semiconductor tvs通过aec-q101认证, 在-55 °c至+175 °c整个工作温度范围内能提供非常稳定的击穿电压,达到11.1 v至133 v,适用于各种高可靠性应用。器件可保护敏感电子设备,避免感应负载切换和照明引起的电压瞬变损坏,典型应用包括汽车抛负载保护,工业和通信系统信号线保护。

smc3kxxxcahm3_a系列有33款tvs器件,反向工作电压为10 v至120v。该器件具有非常快的响应速度和低增量浪涌电阻,优异的箝位性能在10/1000μs条件下最高箝位电压为17.0 v至193 v。器件符合rohs标准,无卤素,符合j-std-020湿度敏感度(msl)等级1级,lf最高峰值为260 °c。

smc3kxxxcahm3_a新系列器件现可提供样品并已实现量产,大宗订货供周期为12周。

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