中国北京 - 2022 年5 月17 日 – 移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中 rf 解决方案的领先供应商 qorvo®(纳斯达克代码：qrvo)今天宣布推出新一代 1200v 碳化硅 (sic) 场效应晶体管 (fet) 系列，该系列具有出色的导通电阻特性。全新 uf4c/sc 系列 1200v 第四代 sic fet 非常适用于主流的 800v 总线架构，这种架构常见于电动汽车车载充电器、工业电池充电器、工业电源、dc/dc 太阳能逆变器、焊接机、不间断电源和感应加热等应用。

unitedsic/qorvo 功率器件总工程师 anup bhalla 表示：“我们通过更高性能的第四代器件扩充了 1200v 产品系列，为工程师将总线设计电压提高到 800v 提供了有力支持。在电动汽车中，这种电压升高无法避免;这些新器件支持四种不同的 rds(on)(漏源导通电阻)等级，有助于设计师为每项设计选择合适的 sic 器件。”

以下 sic fet 出色的品质因数展现了全新 uf4c/sc 系列的性能优势：

所有 rds (on) 选项(23、30、53 和 70 毫欧)都采用行业标准的 4 引脚开尔文源极 to-247 封装，以更高的性能水平提供更清洁的开关。53 和 70 毫欧的器件也可采用 to-247 三引脚封装。该系列器件采用先进的银烧结芯片贴装和晶圆减薄工艺，通过良好的热性能管理实现了出色的可靠性。

此外， fet-jet calculator™ 免费在线设计工具支持所有 1200v sic fet;可以即时评估在各种 ac/dc 和隔离式/非隔离 dc/dc 转换器拓扑结构中所用器件的效率、组件损耗和结温上升指标。 它可以在用户指定的散热条件下比较单个和并联器件，以获取优化解决方案。

全新 1200v 第四代 sic fet 售价(1000 件起，美国离岸价)为 5.71 美元 (uf4c120070k3s) 到 14.14 美元 (uf4sc120023k4s) 。 所有器件均通过授权经销商销售。

qorvo 的碳化硅和电源管理产品面向工业、商业和消费电子领域的充电、驱动和控制应用。

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