领先于智能电源和智能感知技术的安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：on)，发布新的600 v superfetv mosfet系列。这些高性能器件使电源能满足严苛的能效规定，如80 plus titanium，尤其是在极具挑战性的10%负载条件下。600 v superfet系列下的三个产品组--fast、easy drive和frfet经过优化，可在各种不同的应用和拓扑结构中提供领先同类的性能。

600 v superfet v系列提供出色的开关特性和较低的门极噪声，从而降低电磁干扰(emi)，这对服务器和电信系统是个显著的好处。此外，强固的体二极管和较高的vgss(dc ±30 v)增强了系统可靠性。

安森美先进电源分部高级副总裁兼总经理asif jakwani说：“80 plus titanium认证以应对气候变化为目标，要求服务器和数据存储硬件在10%负载条件下的电源能效水平达90%，在处理50%负载时的能效达96%。我们的superfet v系列的fast、easy drive和frfet版本正在满足这些要求，提供强固的方案，确保持续的系统可靠性。”

fast版本在硬开关拓扑结构(如高端pfc)中提供极高能效，并经过优化以提供更低的门极电荷(qg)和eoss损耗，实现快速开关。该版本的最初器件包括ntnl041n60s5h(41 mω rds(on))和nthl185n60s5h(185 mω rds(on))，都采用to-247封装。ntp185n60s5h则采用to-220封装，ntmt185n60s5h采用8.0mm x 8.0mm x 1.0mm的power88封装，保证达到湿度敏感等级msl 1，并具有开尔文(kelvin)源架构以改善门极噪声和开关损耗。

easy drive版本适用于硬开关和软开关拓扑结构，包含一个内置门极电阻(rg)及经优化的内置电容。它们适用于许多应用中的一般用途，包括pfc和llc。在这些器件中，门极和源极之间的内置齐纳二极管的rds(on) 超过120 mω，对门极氧化物的应力更小，esd耐用性更高，从而提高封装产量，降低不良率。目前供应的两款器件nthl099n60s5和nthl120n60s5z的rds(on)为99 mω和120 mω，均采用to-247封装。

快速恢复(frfet)版本适用于软开关拓扑结构，如移相全桥(psfb)和llc。它们的优势是快速体二极管，并提供降低的qrr和trr 。强固的二极管耐用性确保更高的系统可靠性。内置齐纳二极管的ntp125n60s5fz 的rds(on)为125 mω，采用to-220封装，而ntmt061n60s5f 的rds(on)为61 mω，采用power88封装。损耗最低的器件是nthl019n60s5f，rds(on)仅19 mω，采用to-247封装。

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