绝缘栅双极晶体管（iusulated gate bipolar transistor）简称igbt，是一种集bjt的大电流密度和mosfet等电压激励场控型器件优点于一体的高压、高速大功率器件。

品牌商用电磁炉采用技术领先的德国“infineon”研发的igbt模块，具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点。

igbt模块是品牌商用电磁灶能源变换与传输的核心器件，是商用电磁炉的电力电子装置的“cpu”。

目前有用不同材料及工艺制作的igbt，品牌商用电磁炉采用的igbt模块，克服了功率mosfet的一个致命缺陷，就是于高压大电流工作时，导通电阻大，器件发热严重，输出效率下降。

igbt模块具有电流密度大、输入阻抗高，栅驱动功率极小，驱动电路简单等特点。低导通电阻使得品牌大功率电磁炉在3秒内达到烹饪温度，高击穿电压，安全工作区大，令电磁炉在瞬态功率较高时不会受损坏。

igbt是强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率mosfet的自然进化，将场控型器件的优点与gtr的大电流低导通电阻特性集于一体，是极佳的高速高压半导体功率器件。

以上是网络信息转载，信息真实性自行斟酌。