从事紫外线led业务的日本nitride semiconductor开发出施加100ma电流时，光功率高达48mw的表面封装型紫外线led灯“ns375l-4sfg”。输出波长为375～380nm。原产品“ns375l-7sff”施加20ma的电流时，光功率为3.5mw。芯片尺寸增大到4倍以上，从原产品的280μm×280μm扩大到目前的600μm×600μm。

所开发的紫外线led灯的角度为120度。外形尺寸为4.2mm×4.2mm×1.3mm。工作温度范围为-30～+80℃。将于2008年12月开始样品供货。

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