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首尔半导体指控日亚侵犯其激光二极管专利权

2024-05-30 12:27 来源: 作者/编辑: 浏览次数:1605 手机访问 使用手机“扫一扫”以下二维码,即可分享本文到“朋友圈”中。

首尔半导体宣布向美国国际贸易委员会(the united states international trade commission,itc)呈交诉状,投诉日亚化学工业(株) (nichia corporation)从事不公平的贸易行为。首尔半导体指控日亚公司进口及销售含氮化镓(gallium nitride)的激光二极管(laser diode)侵犯首尔半导体编号为5,321,713(713)的美国专利权。

首尔半导体投放在美国大学和公司,作为研究发展与激光二极管和发光二极管(led)相关技术的资金共超过一千万美元。首尔半导体从这些研发投资之中,已取得多项与激光二极管及led相关的专利权,当中包括美国713专利权,首尔半导体拥有的专利权超过了一千项。

此外,首尔半导体正就日亚公司销售的led产品侵权问题提出诉讼,以维护旗下另一项美国专利权,编号为5,075,742(742)。有关诉讼已于2007年11月6日,入禀得克萨斯州东部地区的美国地方法院,案件现正待决。美国742专利权范围覆盖与白光、蓝光、绿光及紫外线led和激光二极管等相关的技术。

首尔半导体预计itc将于明年一月向日亚公司展开调查,并会于2008年秋季进行审理。

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