007年5月1日，加州大学圣巴巴拉分校（ucsb）非极性gan材料研究小组（由中村修二[shuji nakamura]和 steven denbaars 领导）制造的蓝紫光ingan led在高工作电流下创输出功率新高，且同时具有41%的外量子效率（eqe）。

由ucsb研究小组制备的多量子阱结构led，工作于20ma时的输出功率为28mw，峰值波长为402nm，eqe相当于45.4%。具有决定意义的是，该器件在更高电流时仍能保持高转换效率（200ma时，输出功率为250mw），在电流密度由1 a/cm2上升到350 a/cm2 时，外量子效率仅有稍微的下降。

在m平面上生长晶体结构以开发非极性gan，一直以来都被视为可使led和激光器的性能获得阶段性提高的方法之一。但直到现在，基于非极性gan 的芯片无论在转换效率还是输出功率方面都落在传统结构的后面。而此次非极性gan的性能能够有长足进步则要归功于m面gan衬底（由日本三菱化学提供）的发展。这一基板材料是通过对使用hvpe法生长出的c面gan进行切片得来的。

尽管已获得重大突破，ucsb研究小组称非极性gan的性能还有提高的余地。在最新的研究成果中，人们通过标准处理工艺制备led芯片，并使用ito透明电极，这预示着外量子效率还有提高的潜力。

但非极性器件若要真正实现商业化，仍须面临许多技术挑战，极高质量的m面gan衬底即是障碍之一。ucsb小组使用的m面gan衬底仅为1平方厘米，与普通使用的直径2英寸的衬底材料形成鲜明对比，如用生产级mocvd设备进行制备，m面gan衬底的尺寸太小也太昂贵了。

以上是网络信息转载，信息真实性自行斟酌。