28日报道，海力士（hynix）与意法半导体（stmicroelectronics）合资兴建的江苏无锡半导体厂，将在明年4月着手量产。

韩国业界相关人员27日指出，据传海力士最快将在明年第一季底，最迟将在明年第二季初启用无锡厂。无锡厂将以生产dram为主，nand型闪存则将视市场需求弹性生产。

无锡厂区达16万平方米，海力士计划投入2兆韩元以上兴建一座八吋晶圆厂与一座12吋晶圆厂。明年4月将启用的为8吋晶圆厂，将采用90纳米制程月产4万片（以八吋为基准）dram。

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