据外国媒体的最新报道，日本东芝公司和nec电子公司今天宣布说，双方已经签署协定，同意联合研发45纳米cmos逻辑处理技术。

单独研发半导体处理技术不仅耗时巨大，而且费用昂贵，而联合研发不但可以提升系统大规模集成电路（lsi）的性能和质量，而且还能降低公司的负担和加快研发的进程。

根据协定，东芝和nec的工程师将在东芝设于横滨的高级微电子中心（advanced microelectronics center）合作研发基础cmos处理技术。在前沿系统大规模集成电路业务方面，为了把高速低耗的系统大规模集成电路运用于数字消费产品和移动通信设备，处理技术的研发正在快速展开，目前90纳米技术产品正在批量生产。为了进一步提高产品的性能和降低产品的能耗，各家公司目前都在如火如荼地展开65纳米，乃至45纳米处理技术的研发工作。与以前相比，45纳米系统大规模集成电路的研发工作需要更多的资源，全球的系统大规模集成电路公司都在加强这方面的合作，以求取得更好的研发成绩。

在这种背景下，东芝公司和nec电子将融合双方以前单独研发的处理器技术和共享新开发的技术。东芝和nec希望通过合作降低高端系统大规模集成电路的研发成本，并缩短它的研发时间。

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