韩国现代半导体公司( hynix semiconductor)日前披露了它的雄心勃勃的产品路线图，公司将大规模生产基于nand 的闪存芯片。 在韩国半导体产业协会举办的韩国半导体2005产业大展(sedex korea 2005)上，据现代半导体公司官员表示，现代半导体公司正在开发首款采用70纳米制造工艺基于nand 的闪存芯片，其中包括一款储存密度为16gb 的芯片。公司采用单级单元(slc)技术构建的芯片将投放市场，这些芯片采用了90纳米制造工艺，是一些储存密度为1gb、 2gb、 4gb和 8gb的基于nand 的芯片。

根据现代半导体公司披露的产品路线图，公司新开发的70纳米产品不久将与用户见面，其中包括储存密度为 4gb、 8gb和16gb的部分芯片，现代半导体公司计划它的16gb 的nand芯片在今年11月份可以生产出样品，明年该产品将投放市场。

如果现代半导体公司储存密度为16gb 的nand芯片能够投放市场，它将推动现代半导体公司成为nand 闪存芯片的领先厂商。上个月，它的竞争对手三星电子公司声称采用50纳米制造工艺已经开发出了储存密度为16gb的 nand闪存芯片，并计划在2006年下半年投放市场。

现代半导体公司正在改变它的芯片制造工厂的布局，它将在中国江苏无锡构建一个制造储存芯片使用的晶圆工厂，这个工厂是现代半导体公司和意法半导体公司的合资企业，新建无锡的工厂投产后预定将生产dram 和 nand闪存芯片，新工厂的建立将巩固和发展现代半导体公司与意法半导体公司的合作伙伴关系。在合资企业中，最初将采用现代半导体公司从韩国工厂转移过来的制造工艺进行生产，一条8英寸的晶圆生产线今年年底将可以提供产品。直径300毫米的晶圆生产线预期在2006年晚些时候可以投产。

尽管现代半导体公司在激烈竞争的闪存芯片领域获得了令人惊愕的增长，但到目前为止公司的闪存芯片产品计划一直没有对外公开。据市场调研机构isuppli公司公布的数据显示，现代半导体公司在连续增长的基础上2005年第二季度销售收入增长幅度超过了57%。

市场调研公司表示，相对来讲，现代半导体公司是一个新进入闪存芯片市场的提供商，今年第二季度现代半导体公司已经成为仅次与三星电子公司与日本东芝公司的全球第三个最大的闪存芯片制造商。

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