株洲将建成我国规模最大的igbt产业基地。近日，记者在时代电气igbt项目现场看到，铲土车机器轰鸣，运输车来来往往，一派繁忙景象。
根据计划，今年igbt产业基地将完成8英寸igbt生产厂房、中央动力厂房、办公楼主体基建建设，计划投资4.2亿元。
据悉，该项目总投资14亿元。2014年正式投产后，将形成年产12万片8英寸igbt芯片和100万只大功率新型半导体器件的生产能力，年产值超20亿元，并成为我国规模最大的igbt产业基地。
igbt项目用地总面积8万余平方米，需完成土方平整39万立方米。目前已按市规划确定的项目标高，已平整土地22万立方米。
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igbt
igbt是一种新型功率半导体器件，具有驱动功率小、开关损耗低、工作频率高、电流密度大等优点，广泛应用于轨道交通、航空航天、新能源电动汽车、高压变频及电力传输等重要行业和领域。此前，全球igbt技术，尤其是6英寸以上大功率igbt关键技术及产品，全部被欧洲、日本少数大公司垄断控制。
来源：行业资讯
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