300mm大硅片是集成电路制造不可或缺的基础材料，对集成电路产业的发展起着关键支撑作用。针对集成电路制造行业对低氧高阻、近零缺陷等硅片产品的迫切需求，亟需解决大直径、高质量硅单晶晶体生长技术中的氧杂质输运、晶体缺陷调控等基础科学问题，进而开发大直径单晶晶体生长技术，实现特定的晶体杂质、缺陷的人工调控，满足射频、存储等领域的应用需求。

近日，中国科学院上海微系统所研究员魏星团队在300mm晶体生长的数值模拟研究领域取得重要进展。该团队自主开发了耦合横向磁场的三维晶体生长传热传质模型，并首次揭示了晶体感应电流对硅熔体内对流和传热传质的影响机制。相关研究成果以effects of induced current in crystal on melt flow and melt-crystal interface during industrial 300 mm czochralski silicon crystal growth with transverse magnetic field为题，发表在《晶体生长与设计》(crystal growth & design)上。

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