日前举行的2019第三届中国(国际)micro-led显示高峰论坛透露出产业发展的新特点。对于micro-led显示产业化问题，专家认为，首先应发展相比lcd或oled更具优势的领域，主要针对tv、可穿戴设备、车载等运用场景，以及适用于柔性透明的运用场景。预计明年开始会有更多产品出现。但规模化商用仍有诸多问题需要解决。

发展势头良好

micro-led是led微缩化和矩阵化技术，即将led背光源进行薄膜化、微小化、阵列化，与oled一样能够实现每个图元单独定址，单独驱动发光(自发光)。芯片尺寸方面，micro-led一般小于50微米，小间距led在微米左右。作为micro-led的过渡，mini-led介于50微米到200微米之间。

凭借诸多优异显示性能，micro-led被认为是下一代显示技术的有力竞争者。包括功耗低、亮度高、超高解析度、高色彩饱和度、响应速度快、对比度高、可视角度宽、自发光和使用寿命长。理论上，micro-led的功耗约为lcd的10%、oled的50%。基于这些优异性能，micro-led有望在穿戴式终端、智能手机、ar、vr、车载显示、电视和大型显示的应用上发挥优势。

自2012年在ces上推出首个micro-led产品(tv)以来，三星、华星光电、康佳、天马、lg等都相继秀出自家micro-led产品。micro-led产业逐渐升温。据不完全统计，近几年来，海外初创micro-led公司不断涌现，且几大互联网企业如、google、facebook都已介入；同时，方、华星光电、熊猫、、友达光电和群创光电等显示面板企业，三安、乾照、华灿等led芯片企业，国星、雷曼、瑞丰和联电等led封装企业纷纷加入。

业界认为micro-led将在5g时代发挥更大作用。中国科学院院士、南京大学物理系教授郑有炓介绍，micro-led将支撑5g+8k和5g+vr/ar终端显示的新要求。随着量产技术的突破，micro-led显示有望成为5g信息时代终端显示的主流技术。

友达光电前瞻技术研究中心资深协理林雨洁表示，5g和aiot时代来临，对显示器产业带来了很大冲击，但这种冲击是良性刺激。资讯传递速度越来越快，对承载硬件的要求越来越高。新应用不断出现，为显示器带来各种各样应用的可能。

探讨产业化之路

micro-led显示技术被视为显示技术发展的新风口，但其高成本、关键技术等方面的问题仍待突破，micro-led技术大规模产业化仍需时间。

工信部司处长王威伟认为，产业化需要把握好三个原则。首先，技术选择要尽早服从产业化需求。“从crt到液晶，当时并不认为液晶技术最优，但20年过去液晶产业发展起来了。因此，产业化未必开始就用最优的技术。”其次，产业化过程中要有技术迭代的能力和资源。“如果技术好，但投入成本巨大，没有持续的迭代能力，这项技术难以产业化。”第三，找准目前可以产业化的方向。“背显和大尺寸是目前micro-led相对看得清的细分方向。芯片制造、材料、模组、面板等相关企业要在确定的目标上共同探讨产业化之路。围绕目标，尽早推出商品，而不仅仅是产品。”

多位专家和企业代表认为，考虑到micro-led不可替代性优势，大尺寸和小尺寸可能更适合率先产业化。大尺寸micro-led显示器方面，聚焦5g+8k、5g+iot+cc+ai引发的新需求以及电视机大尺寸、超高清、智能化的发展趋势；小尺寸micro-led显示器方面，聚焦5g+ar/vr显示终端需求，发展便携式终端ar、vr、智能手表以及阳光环境中使用的车载等抬头显示应用。

郑有炓表示，2012年以来，相继推出了高阶高端样机和产品，并接受订货。但消费者负担得起的高阶高端产品才有市场前景。5g+ar/vr作为下一代信息技术发展的风口，作为其生态圈终端微显示，对micro-led微显示产业发展起着很大的推动作用。micro-led微显示经过10多年的研发，产业化技术路线开始明朗。近年来，众多研究部门和企业不断推出样品样机，且显示业界巨头高调投入，抢占先机。

镎创科技创始人&执行长李允立认为，micro-led短时间取代lcd或者oled不是合理方向，应该考虑从后者很难做到的领域切入。micro-led的结构相对简单，在柔性显示和透明显示等方面具备优势。

此外，可以在性能要求高但成本敏感度相对低的应用领域入手，比如车载显示。

面临诸多挑战

中国证券报记者从峰会现场了解到，micro-led的产业化之路并不容易。有观点认为还需要2-3年时间，也有人认为需要3-5年时间。这与micro-led显示产业仍要解决的诸多问题密切相关。

巨量转移(包括传递、检查、测试、修复)是制作micro-led显示屏的关键技术。传统的led在封装环节，主要采用真空吸取的方式进行转移。由于真空管在物理极限下只能做到大约80微米，而micro-led的尺寸基本小于50微米，所以真空吸附的方式在micro-led时代不再适用。目前，micro-led的巨量转移技术包括精准抬放技术(分为静电力、凡德瓦力、磁力)、自组装技术、选择性释放技术、转印技术和cob技术。

巨量转移存在两大挑战：micro-led芯片在进行大量、多次转移时的良率必须达到99.9999%，精准度控制在±0.5微米以内；rgb全彩显示需要对红、蓝、绿芯片分别转移，要求精准定位灯珠。比如，量产分辨率为fhd(全高清)的micro-led屏幕，需要1920*1080个像素，也就是200万个像素。而每个像素由r、g、b三个micro-led芯片组成，需要万颗mciro-led。一块屏幕需要万颗微米级别的led芯片等。

巨量转移技术不够成熟会影响产品的良率和转移效率，进而推高制造成本。这也是目前少数大尺寸micro-led产品售价高昂的原因。成本下不来，micro-led的量产就会很艰难。同时，由于存在多个巨量转移技术，企业面临选择问题。

其他痛点还包括：led芯片要做得非常小(越小效率越高)，且要确保每一颗芯片的光电性能都一样；三基色micro-led的像素光源问题。目前主要采用蓝光+荧光粉的解决方案，需要解决红光问题；三基色micro-led的像素组装尺寸微米化受限，难以实现超高密度封装等。

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