日本半导体工艺研究所开发出了一种可提高采用low-k材料的层间绝缘膜机械强度的uv（紫外线）热处理设备。对利用cvd法形成的相对介电常数为2.8、强度（杨氏系数）为13gpa的绝缘膜，利用该公司此次开发的设备进行了uv照射。结果证实，除强度提高到24gpa外，相对介电常数也降到了2.6。利用相对介电常数同为2.4的层间绝缘膜检测了设备的效果。结果，强度由3gpa提高到了6gpa，而相对介电常数没有变化。“对于采用相对介电常数为2.1～2.2的low-k材料的层间绝缘膜，也已证实该设备的效果”（该公司董事前田 和夫）。

这种uv热处理设备支持最大口径300mm的晶圆，每枚晶圆的平均处理时间在60秒以内。2005年1月开始上市，价格为7000万日元～8000万日元（约合人民币540万～620万元）。

此次开发的uv热处理设备在原理上采用了由半导体工艺研究所与日本产业技术综合研究所共同开发的、有关改善层间绝缘膜膜质的研究成果。具体来说就是指，在真空环境中向层间绝缘膜照射最适量的uv光线后，在形成膜空穴的si-ch3结合中，结合较弱的部分就会断开，而仅保留稳定结合的部分。因此，结合强度就会提高，从而就能提高膜的机械强度。

同时，由于形成空穴的弱结合基断开后，将会释放到层间绝缘膜的外部，因此空穴将会增大。结果，还有利于降低膜的相对介电常数。

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