8 月4 日–移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中 rf 解决方案的领先供应商 qorvo®, inc.(纳斯达克代码：qrvo)今日宣布推出 7 款采用表贴 d2pak-7l 封装的 750v 碳化硅 (sic) fet。凭借该封装方案，qorvo 的 sic fet 针对快速增长的车载充电器、软开关 dc/dc 转换器、电池充电(快速 dc 和工业)和 it/服务器电源应用实现量身定制。它们采用热性能增强型封装，为需求最大效率、低传导损失和高性价比的高功耗应用提供理想解决方案。

在 650/750v 状态下，第四代 uj4c/sc 系列的 rds(on) 为 9 毫欧姆 (mohm)，实现行业低水平，该系列的额定电阻为 9、11、18、23、33、44 和 60 豪欧姆。该广泛选择为工程师提供更多器件选项，支持更大的灵活性，以实现理想成本/效率平衡，同时维持丰富的设计裕量和电路稳健性。这些器件利用独到的共源共栅 sic fet 技术，其中，处于常开状态的 sic jfet 与 si mosfet 共同封装，产生处于常闭状态的 sic fet，这些器件提供出色的 rds x a 品质因数，能够最大限度减少小尺寸裸片中的传导损失。

unitedsic(现已被 qorvo收购)总工程师 anup bhalla 表示：“d2pak-7l 封装可减少紧凑内部连接回路中的电感，再加上附带的开尔文源连接，能够实现低开关损耗，支持更高的工作频率，并提高系统功率密度。此外，这些器件采用银烧结芯片贴装，通过液体冷却最大限度排出标准 pcb 和 ims 基板上的热量，因此热阻非常低。”

采用 d2pak-7l 封装系列的全新 750v 第四代 sic fet 售价(1000 件起，美国离岸价)为 3.50 美元 (uj4c075060b7s) 至 18.92 美元 (uj4sc075009b7s)。所有器件均通过授权经销商销售。

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